ДЕРЖ.БАТАРЕЙ ZH298(6АА) С ПРОВ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BA4116FV-E2		ROHM
BA4116FV-E2
BA4116FV-E2		ROHM
BA4116FV-E2		Rohm Semiconductor
LMX2316TM	Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMX2316TM	Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ...			214.80
LP2950ACZ-3.3	Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LP2950ACZ-3.3	Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В			54.76
LP2950ACZ-3.3	Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В	NSC
LP2950ACZ-3.3	Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LP2950ACZ-3.3	Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В	TEXAS INSTRUMENTS
LP2950ACZ-3.3	Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В	TEXAS
MC34119DTR	Маломощный УНЧ	UTC
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		669	9.62
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	8	13.26
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК	5 234	12.40
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
КТ3107А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ