TZB4P400AB8.5/40.0ПФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ 626 Б		RUS
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			95.04
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ДАЛЕКС
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	РИГА
КТ626А			1 081	21.08
КТ626А		КРЕМНИЙ
КТ626А		ТОМСК	39 146	3.72
КТ626А		БРЯНСК	1	5.58
КТ626А		ВОРОНЕЖ
КТ626А		RUS
КТ626А		2
КТ626А		2525
КТ626А		3098
КТ626А		39045
КТ626А		4192
КТ626А		50
КТ626Е		ТОМСК	400	2.79
КТ626Е			1 600
КТ626Е		БРЯНСК
КТ626Е			1 600
КТ626Е		400
КТ626Е		606
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	44	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		222	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	30	96.09