Версия для печати
Технические характеристики TMV 1212D

POUT,Вт	1
VIN,В	от 10.8 до 13.2
VISO,В	3000
КПД,%	81
Выход: UВЫХ1,В	12
Выход: IВЫХ1,мА	40
Выход: UВЫХ2,В	-12
Выход: IВЫХ2,мА	-40
TA,°C	от -40 до 85
Размеры: Д,мм	19.5
Размеры: Ш,мм	6.1
Размеры: В,мм	10.2
Корпус	SIP-7

TMV 1212D (DC-DC модули) DC/DC конвертер серии TMV мощностью 1 Ватт, нерегулируемый выход, высокое напряжение изоляции Производитель: Traco Electronic TMV 1212D datasheet 152 Кб

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAI/QTC
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FSC
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%		3	47.88
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	Fairchild Optoelectronics Group
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	Lite-On Inc
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	США
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIRCHILD
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIRCHILD	423	25.20
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONSEMICONDUCTOR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONS
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONS-FAIR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ON SEMICONDUCTOR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	LIT	65	19.52
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А		700	26.13
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	38.60
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 506	12.88
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	1 482	10.58
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК	5 600	14.07
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	19 413	14.07
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 136	8.59
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		512	12.88
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	540	10.96
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	7 164	12.60
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ	1 920	8.40
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	6.29

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"