TL062IDR

Версия для печати

Технические характеристики TL062IDR

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V
Ток выходной	200µA
Напряжение входного смещения	3000µV
Ток - входного смещения	30pA
Полоса пропускания	1MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	3.5 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	J-FET
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TL062 (Операционные усилители)

LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

Также в этом файле: TL062IDR

Производитель:
Texas Instruments
//www.ti.com

TL062IDR datasheet
650.11Kb
31стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-X7R-0.12UF 10% 50V	Керамический конденсатор 0.12 мкФ 50 В	KOME
1206-X7R-0.12UF 10% 50V	Керамический конденсатор 0.12 мкФ 50 В		8	2.44
GRM2165C1H242JA01D	Керамический конденсатор 2400 пФ 50 В	MUR	7	3.04
GRM2165C1H242JA01D	Керамический конденсатор 2400 пФ 50 В	Murata Electronics North America
GRM2165C1H242JA01D	Керамический конденсатор 2400 пФ 50 В	MURATA
GRM2165C1H242JA01D	Керамический конденсатор 2400 пФ 50 В
MMBFJ177		FAIR
MMBFJ177		Fairchild Semiconductor
MMBFJ177		FAIRCHILD
MMBFJ177
MMBFJ177		FSC
MMBFJ177		FAIRCHILD
MMBFJ177		ONS
MMBFJ177		ONS-FAIR
MMBFJ177		HOTTECH	12 602	38.34
REF3040AIDBZT	Прецизионный ИОН (Uоп=4.096V, tol=0.2%, t=-40.+125C)	TEXAS INSTRUMENTS
REF3040AIDBZT	Прецизионный ИОН (Uоп=4.096V, tol=0.2%, t=-40.+125C)		4	139.04
REF3040AIDBZT	Прецизионный ИОН (Uоп=4.096V, tol=0.2%, t=-40.+125C)	TEXAS
REF3040AIDBZT	Прецизионный ИОН (Uоп=4.096V, tol=0.2%, t=-40.+125C)	TEXAS INSTRUMENTS
REF3040AIDBZT	Прецизионный ИОН (Uоп=4.096V, tol=0.2%, t=-40.+125C)	ТАИЛАНД
СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ ФОЛЬГИР.1.5ММ 2-Х СТОРОН				632.00
СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ ФОЛЬГИР.1.5ММ 2-Х СТОРОН		УДАЛЕНО