| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
|
|
800.00
|
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
546
|
|
|
 |
|
SA612AN |
|
Двойной балансный смеситель с гетеродином
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
SA612AN |
|
Двойной балансный смеситель с гетеродином
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
SA612AN |
|
Двойной балансный смеситель с гетеродином
|
|
|
248.00
|
|
|
|
|
SA612AN |
|
Двойной балансный смеситель с гетеродином
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
SA612AN |
|
Двойной балансный смеситель с гетеродином
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
SA612AN |
|
Двойной балансный смеситель с гетеродином
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
570
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
153
|
251.10
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
|
1 903
|
347.82
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
1 792
|
41.38
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
1 200
|
123.98
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
|
|
38.64
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
