TC9153(AP)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TC9153AP (Электронное управление громкостью звука)

electronic volume

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

TC9153(AP) datasheet
1.09Mb
16стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS	259	326.43
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц		1	544.80
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	STMICROELECTRONICS
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	СИНГАПУР
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST1
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRO
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	1
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP		57	315.00
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	48	1 071.00
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	949	440.00
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	УЛЬЯНОВСК
КТ819ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ	4	275.40
КТ819ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		196	192.50
КТ819ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	БРЯНСК	797	230.00
КТ819ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
КТ819ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
КТ819ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	RUS