Версия для печати
Технические характеристики STP4NK50Z

Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 Ohm @ 1.5A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	310pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP4NK50Z (MOSFET) N-CHANNEL 500V - 2.4W - 3A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP4NK50Z datasheet 665 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B250C1500 (1.5А,400В)
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	10 622	21.63
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	839	10.18
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	14 228	8.11
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.38
		ECAP 1000/25V 1019 105C SH		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В	YAGEO
		L7805ACV		ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220	ST MICROELECTRONICS	4 942	39.78
		L7805ACV		ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220			34.80
		L7805ACV		ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L7805ACV		ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220	STMicroelectronics
		L7805ACV		ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220	КИТАЙ
		L7805ACV		ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220	STMICROELECTR
		L7805ACV		ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220	4-7 НЕДЕЛЬ	428
		SH025M0150B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 25 В	YAGEO
		SH025M0150B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH025M0150B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"