SSH6N80

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SSH6N80	1	235.84
SSH6N80	1	235.84

Версия для печати

Технические характеристики SSH6N80

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	1900
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	170
Корпус	TO247
Пороговое напряжение на затворе	4.5

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DM0365R	SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	FAIR
DM0365R	SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w		1	237.60
DM0365R	SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	ONS-FAIR
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIR
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220			120.00
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	Fairchild Semiconductor
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC1
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS-FAIR
ICE2BS01	SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	INFINEON
ICE2BS01	SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz			408.00
ICE2BS01	SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	Infineon Technologies
ICE2BS01	SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	США
ICE2BS01	SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ICE2BS01	SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	1
LD7750RGR		LD
LD7750RGR
LD7750RGR		LEADTREND
MBRF20100CTG		ON SEMICONDUCTOR
MBRF20100CTG
MBRF20100CTG		ONS
MBRF20100CTG		ON SEMICONDUCTOR
MBRF20100CTG		ON SEMI
MBRF20100CTG		ONSEMICONDUCTOR