|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE-ON
|
594
|
25.12
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LIT
|
3 296
|
17.21
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
VISHAY
|
581
|
42.83
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGH
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGHT
|
430
|
18.17
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
|
83
|
40.32
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
CT-MICRO
|
7 427
|
13.26
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
1
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
95
|
173.40
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
12
|
257.04
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
|
32.00
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
227.30
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
960
|
165.31
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
|
159
|
264.96
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
САРАНСК
|
4
|
105.00
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
СЗТП
|
22
|
287.28
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
10 083
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 520
|
26.86
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|