|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
135 336
|
2.06
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
80 401
|
2.37
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
169
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
57
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 498
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
709
|
3.67
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
24 491
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
459 500
|
1.48
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
118
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
196 427
|
1.26
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
34 908
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
39
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
24 000
|
1.16
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
15 200
|
10.82
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
62 886
|
1.24
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
196
|
1.30
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
291 283
|
1.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
52 587
|
2.15
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
10 256
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
15.30
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
56
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
2 039
|
10.27
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
27 128
|
15.84
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
1 840
|
3.94
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
28.05
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FSC
|
270
|
11.72
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIRCHILD
|
181
|
16.00
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
|
1
|
14.08
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
2 964
|
11.24
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
WS
|
22 600
|
16.73
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
WINGSHING
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
LUGUANG
|
626
|
8.00
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
|
4
|
79.20
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.99
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
939
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|