SPB20N60S5


Купить SPB20N60S5 по цене 493.40 руб.  (без НДС 20%)
SPB20N60S5
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SPB20N60S5 цена радиодетали 493.40 

Версия для печати

Технические характеристики SPB20N60S5

Тип монтажаПоверхностный
Power - Max208W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs103nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C20A
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 13A, 10V
FET FeatureStandard
КорпусPG-TO263-3
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияCoolMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPB20N60S5 (N-канальные транзисторные модули)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPB20N60S5 datasheet
323.91Kb
11стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  ML4800CP     FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  ML4800CP       Заказ радиодеталей 480.56 
  ML4800CP     Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
  ML4800CP     FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  ML4800CP     FSC1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  ML4800CP     FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  ML4800CP     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  ML4800CP     1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход