BC847BPN

Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC847BPN (NXP.)	9 131	3-4 недели Цена по запросу
BC847BPN (HOTTECH)	125	5.89
BC847BPN (SUNTAN)	2 737	2.83

Версия для печати

Технические характеристики BC847BPN

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	300mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC847BPN (Универсальные биполярные транзисторы)

NPN / PNP general purpose transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BC847BPN datasheet
51.4Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	MICRO SEMICONDUCTOR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DC COMPONENTS	14 018	2.39
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FSC
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA		95 824	1.16 >100 шт. 0.58
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC	46 105	1.52
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	Fairchild Semiconductor
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 171	1.71
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	КИТАЙ
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UTC
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP.
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRON
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRONICS
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS-FAIR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ON SEMICONDUCTOR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YJ	139 089	1.78 >100 шт. 0.89
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY ME
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	883
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE	2 400	1.01
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE (YJ)
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	HOTTECH	301 597	1.64 >100 шт. 0.82
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JANGJIE
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	WUXI XUYANG
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UNKNOWN
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	0.00
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GME	1	1.98
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSCJ	60 616	1.88 >100 шт. 0.94
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	1
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	TRR	72 000	1.50 >500 шт. 0.50
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)		71 253	1.08
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	800	6.63
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	69	1.97
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	INFINEON
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MCC
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY	9 642	2.54
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	OTHER	14 768
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	1 375
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ONS
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP	6 187
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YJ	1 035 439	1.97
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY ME
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	12 436	1.97
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	LRC
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	KLS
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PANJIT
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SEMTECH	4	3.10
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE (YJ)
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YOUTAI	34 768	1.52
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ZH
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ASEMI
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	14 103	2.06
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	TRR
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YIXING
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	1
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SUNTAN
BC807-40	Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHIKUES
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	PHILIPS
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	DC COMPONENTS	79 306	2.31
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP	349
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	PHILIPS
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KINGTRON
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KINGTRONIC
BZV55-C3V3	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KINGTRONICS	2 914	1.19
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м		59 032	1.20 >100 шт. 0.60
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	КИТАЙ
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	HOTTECH
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	KLS
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	OLITECH
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	1
BZV55C5V1	Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	SEMTECH	30	1.26
DALC208SC6		ST MICROELECTRONICS
DALC208SC6			11	36.00
DALC208SC6		ST MICROELECTRONICS SEMI	1 267
DALC208SC6		STMicroelectronics
DALC208SC6		МАЛАЙЗИЯ
DALC208SC6		ST MICROELECTRO
DALC208SC6		1

BC847BPN

Транзистор NPN (Uce=45V, f>100MHz, -55 to +150C)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - сборки

С этим товаром покупают: