Тип монтажа | Поверхностный |
Frequency - Transition | 100MHz |
Power - Max | 225mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Корпус | SOT-23-3 |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2РМДТ18Б4Г5А1В |
|
|
|
1
|
3 360.00
|
|
|
|
2РМДТ18Б4Г5А1В |
|
|
ЭЛЕКОН
|
|
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
|
2
|
2 112.00
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
ЭЛЕКОНД
|
|
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
ИСЕТЬ
|
4
|
5 370.30
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
КОМ1
|
|
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
ЭЛЕКОН
|
4
|
5 370.30
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
КОМ 1
|
|
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
ЛТАВА
|
|
|
|
|
|
2РМТ22Б10Ш1В1В |
|
Вилка блочная 2РМТ22, без кожуха, 10 контактов с покрытием серебро
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
599
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
14 631
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
1 072 677
|
1.21
|
|
|
|
LM4040AIM3-2.5 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM4040AIM3-2.5 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM4040AIM3-2.5 |
|
|
|
|
210.68
|
|
|
|
LM4040AIM3-2.5 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
321
|
|
|
|
|
LM4040AIM3-2.5 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM4040AIM3-2.5 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
186
|
|
|
|
|
SN65LBC184DR |
|
Микросхема дифференциальный трансивер RS-485, 5В, 25мА,
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN65LBC184DR |
|
Микросхема дифференциальный трансивер RS-485, 5В, 25мА,
|
|
2 520
|
107.76
|
|
|
|
SN65LBC184DR |
|
Микросхема дифференциальный трансивер RS-485, 5В, 25мА,
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN65LBC184DR |
|
Микросхема дифференциальный трансивер RS-485, 5В, 25мА,
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN65LBC184DR |
|
Микросхема дифференциальный трансивер RS-485, 5В, 25мА,
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN65LBC184DR |
|
Микросхема дифференциальный трансивер RS-485, 5В, 25мА,
|
YOUTAI
|
8 004
|
37.03
|
|
|
|
SN65LBC184DR |
|
Микросхема дифференциальный трансивер RS-485, 5В, 25мА,
|
UMW
|
1 920
|
46.44
|
|
|
|
SN65LBC184DR |
|
Микросхема дифференциальный трансивер RS-485, 5В, 25мА,
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|