MBR10T100

Диод Шоттки 100V 10A

Диод шотки 100 вольт, 10 ампер

Высокоэффективный диод Шотки с максимальной температурой перехода 175°C
Сверхмалое падение прямого напряжения
Сверхмалый обратный ток утечки
Оптимальное соотношение прямого напряжения V_F к обратному току I_R
Повышенная устойчивость к лавинообразному росту обратного тока
Минимальные потери при коммутации
Субмикронная технология
Бессвинцовое исполнение
Разработан и сертифицирован для промышленных применений

Версия для печати

Технические характеристики MBR10T100

Кол-во диодов	1
VRRM,В	100
IF(AV),А	10
VF (макс.),В	0.79
IR (макс.),мкА	100
ITSM (макс.),А	200
TJ (макс.),°C	175
Корпус	TO-220AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBR10T100 (Диоды Шоттки)

Диод Шотки 100 Вольт, 10 Ампер

Производитель:
Vishay

MBR10T100 datasheet
110.5 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B57235S809M		EPCOS
B57235S809M				115.60
B57235S809M		EPCOS
B57235S809M		TDK
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	MURATA
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП			17.00
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	Murata Electronics North America
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
CC1206KKX7RCBB102	Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ	YAGEO	107 616	1.17
CC1206KKX7RCBB102	Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC1206KKX7RCBB102	Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC1206KKX7RCBB102	Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
KNP 1W 10.0 +5%		YAGEO
KNP 1W 10.0 +5%