|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
1
|
457.60
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
32
|
755.70
|
|
|
|
KNP 2W 0.3 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
KNP 2W 0.3 5% |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KNP 2W 0.3 5% |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-10 1% |
|
Резистор металлодиэлектрический 0.25Вт, 10Ом, 1 %
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-10 1% |
|
Резистор металлодиэлектрический 0.25Вт, 10Ом, 1 %
|
|
|
2.80
|
|
|
|
MF-2 0.22 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
MF-2 0.22 5% |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
1
|
146.40
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
69
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|