Версия для печати
Технические характеристики M95256-RMN6P
Корпус | 8-SO |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение питания | 1.8 V ~ 5.5 V |
Интерфейс подключения | SPI, 3-Wire Serial |
Скорость | 2MHz |
Объем памяти | 256K (32K x 8) |
Тип памяти | EEPROM |
Формат памяти | EEPROMs - Serial |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
B6S-E3/80 |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
B6S-E3/80 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
B6S-E3/80 |
|
|
|
|
|
|
|
|
B6S-E3/80 |
|
|
VISHAY
|
678
|
|
|
|
|
C503B-GAN-CB0F0791 |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
C503B-GAN-CB0F0791 |
|
|
|
|
19.44
|
|
|
|
C503B-GAN-CB0F0791 |
|
|
Cree Inc
|
|
|
|
|
|
C503B-GAN-CB0F0791 |
|
|
CREEINC
|
|
|
|
|
|
C503B-GAN-CB0F0791 |
|
|
CREE-LED
|
|
|
|
|
|
C503B-RBN-CW0Z0AA1 |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
C503B-RBN-CW0Z0AA1 |
|
|
Cree Inc
|
|
|
|
|
|
C503B-RBN-CW0Z0AA1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
|
|
275.84
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
M95128-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M95128-WMN6TP |
|
|
|
|
360.00
|
|
|
|
M95128-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M95128-WMN6TP |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|