|
Корпус | 8-TSSOP |
Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V |
Ток выходной / канал | 30mA |
Ток выходной | 1mA |
Напряжение входного смещения | 3000µV |
Ток - входного смещения | 20nA |
Полоса пропускания | 700kHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 0.3 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | General Purpose |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
LM358PW (Операционные усилители) DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: LM358PWR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3205PBF | Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF3205PBF | Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF3205PBF | Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ... | INFINEON | ||||||
IRF3205PBF | Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ... | |||||||
KBU6G 27.10 - 10 Д | MIC | |||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONS | 8 000 | 14.12 | ||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 5 200 | 12.00 | |||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONSEMICONDUCTOR | ||||||
LM358DR2G | 2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 0.00 | ||||||
PDTC143ET.235 | NXP | |||||||
К145ИК17 | Микросхема | 144.00 |
|