L/H HOP-1200W

Лазерная головка для DVD

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
L/H HOP-1200W		1 410.20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Лазерная головка для DVD

L/H HOP-1200W datasheet
882,16kB
28стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5905	Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)	MATSUSHITA	4	489.60
2SC5905	Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)		5	223.20
2SC5905	Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)	MAT
2SC5905	Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)	PAN
2SC5905	Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 20A, 70W, Tf<200nS)	КИТАЙ
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		800	28.78
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS
FQP50N06	Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	102.00
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		827	21.96
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	17
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS	790	29.97
LA78040	TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)	SANYO	26	158.10
LA78040	TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)
LA78040	TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)
LA78040	TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)	SAN
TDA7384	УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
TDA7384	УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB			383.96
TDA7384	УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB	МАЛАЙЗИЯ
TDA7384	УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB	ST1
TDA7384	УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB	STMICROELECTR