KSD362


Купить KSD362 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
KSD362
Версия для печати

Технические характеристики KSD362

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 500mA, 5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5A, 5V
Power - Max40W
Frequency - Transition10MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

KSD362

Npn (b / w Tv Horizontal Deflection Output)

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

KSD362 datasheet
227.41Kb
6стр.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  MJE15028     MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE15028     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE15028     MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE15028     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE15030 Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE15030 Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20     Заказ радиодеталей 93.04 
  MJE15030 Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20   ISC Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход