IRLR024Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Power - Max | 35W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR024Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDRH125NP-221MC | SUMIDA | 1 768 | 30.33 | |||||
| CDRH125NP-221MC |
|
86.00 | ||||||
| CDRH125NP-221MC | SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC |
|
|
|||||
| CDRH127NP-331MC | SUMIDA | 4 233 | 43.56 | |||||
| CDRH127NP-331MC |
|
80.00 | ||||||
| CDRH127NP-331MC | SUMIDA |
|
|
|||||
| CDRH127NP-331MC | SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC |
|
|
|||||
 |
 |
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А | JOYIN |
|
|
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А | 17 | 12.60 | ||
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
| NTD24N06LG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD24N06LG | ONS |
|
|
|||||
| NTD24N06LG |
|
|
||||||
| STB9NK50ZT4 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STB9NK50ZT4 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| STB9NK50ZT4 | 1 | 113.40 | ||||||
| STB9NK50ZT4 | STMicroelectronics |
|
|
