IRGB10B60KD

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRGB10B60KD (INTERNATIONAL RECTIFIER)	690	84.00

Версия для печати

Технические характеристики IRGB10B60KD

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 10A
Current - Collector (Ic) (Max)	22A
Power - Max	156W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRGB10B60KD

Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRGB10B60KD datasheet
324.22Kb
15стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2A1813 (КИТАЙ)			104 000	1.46 >100 шт. 0.73
IRGB15B60KD	Транзистор IGBT			300.00
IRGB15B60KD	Транзистор IGBT	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGB15B60KD	Транзистор IGBT	INFINEON
L6385		ST MICROELECTRONICS
L6385		ST MICROELECTRONICS SEMI	10
L6385		STMicroelectronics
L6385
MPS4250		ON SEMICONDUCTOR
MPS4250		ON SEMICONDUCTOR
MPS4250
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	NEC
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIR
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	PHILIPS
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	SIGNETICS
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIRCHILD
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMEN
NE5532D	Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C			39.52