IRG4PH40KD


Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 30А, 160Вт

Купить IRG4PH40KD по цене 466.52 руб.  (без НДС 20%)
IRG4PH40KD  Транзистор IGBT модуль единичный  Напряжение...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRG4PH40KD цена радиодетали 466.52 

Транзистор IGBT модуль единичный
Напряжение сток-исток  1200В
Ток стока  30А
Мощность  160Вт
Время включения/выключения   50нс/96нс
Частота   8 ... 30кГц
Диапазон температур  - 55 ... 150оС

Версия для печати

Технические характеристики IRG4PH40KD

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 15A
Current - Collector (Ic) (Max)30A
Power - Max160W
Тип входаStandard
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3 (TO-247AC)
КорпусTO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PH40KD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PH40KD datasheet
217.64Kb
10стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход