FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 37A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 61A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1720pF @ 25V |
Power - Max | 91W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFZ48Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EFD20 BBN КАРКАС | SHAAN | |||||||
EFD20 BBN КАРКАС | 14.40 | |||||||
EFD20 P3 СЕРД. | SHAAN | |||||||
EFD20 P3 СЕРД. | 25.80 | |||||||
EFD20 P3 СЕРД. | SHINHOM | |||||||
EFD20 P3 СЕРД. | КИТАЙ | |||||||
MCA9H2.5-50К | ACP | |||||||
MCA9H2.5-50К | 56.96 | |||||||
SK100M0100B5S-1019 (100V 100UF/10*19) | Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 100 В |
|