Структура | N-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 180 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
Крутизна характеристики S,мА/В | 13000 |
Корпус | TO220F |
Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1651[C] | SAN | |||||||
DM0365R | SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w | FAIR | ||||||
DM0365R | SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w | 1 | 237.60 | |||||
DM0365R | SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w | ONS-FAIR | ||||||
STP4NK60Z | N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STP4NK60Z | N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | 4 | 105.60 | |||||
STP4NK60Z | N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
STP4NK60Z | N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | STMicroelectronics | ||||||
STP4NK60Z | N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | КИТАЙ | ||||||
STRG5653 | SMPS схема упpавления, MOSFET | SANKEN | ||||||
STRG5653 | SMPS схема упpавления, MOSFET | SK | ||||||
STRG5653 | SMPS схема упpавления, MOSFET | 3 | 330.00 | |||||
STRG5653 | SMPS схема упpавления, MOSFET | КИТАЙ | ||||||
STRG5653 | SMPS схема упpавления, MOSFET | 1 | ||||||
UF5407 | DC COMPONENTS | |||||||
UF5407 | SMK |
|