Версия для печати
Технические характеристики IRFPS43N50K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 28A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	47A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	350nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8310pF @ 25V
Power - Max	540W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-274AA
Корпус	SUPER-247 (TO-274AA)

IRFPS43N50K (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) typ.=0.078ohm, Id=47A) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFPS43N50K datasheet 102.08Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	FAI/QTC
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	FAGOR
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	FAIR
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	FAIRCHILD
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	FAIRCHILD
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	Diodes Inc
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	Fairchild Semiconductor
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	Vishay/Semiconductors
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	FSC
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	КИТАЙ
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	ON SEMI/FAIRCH
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	ONSEMICONDUCTOR
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	ONS
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	ONS-FAIR
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	DIODES
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)			30.48
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	DIODES INC.
		DF04M		Диодный мост DIP 1A 280V(RMS)	HOTTECH	1	9.45
		VS-HFA30PA60CPBF		Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт	VISHAY/IR
		VS-HFA30PA60CPBF		Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт	VISHAY
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	193.80
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	386.40
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IRFP2907Z		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP2907Z		Hexfet power mosfets discrete n-channel
		IRFP2907Z		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
		IRFP2907Z		Hexfet power mosfets discrete n-channel	1
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		710	27.48
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	3 680	46.25
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	15 740	32.00
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"