IRFP250N


Транзистор полевой

Купить IRFP250N по цене 74.46 руб.  (без НДС 20%)
IRFP250N
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRFP250N 168 74.46 

Версия для печати

Технические характеристики IRFP250N

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs123nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2159pF @ 25V
Power - Max214W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3 (TO-247AC)
КорпусTO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP250N (N-канальные транзисторные модули)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFP250N datasheet
122.33Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    B32529-63В-1МКФK     EPCOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    B32529-63В-1МКФK     TDK (EPCOS) Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   INTERNATIONAL RECTIFIER 8 193.80 
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A     2 360.00 
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PC50FD Транзистор IGBT модуль единичный   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PC50FD Транзистор IGBT модуль единичный     Заказ радиодеталей 463.92 
IRG4PC50FD Транзистор IGBT модуль единичный   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PC50FD Транзистор IGBT модуль единичный   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS 400 43.35 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА     32 14.76 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS SEMI 7 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   HGSEMI 1 336 14.27 
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс     13 127.50 
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс   ФОТОН 23 100.00 
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс   СЗТП 12 438.60 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход