Версия для печати
Технические характеристики IRF9Z14

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	270pF @ 25V
Power - Max	43W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	152 584	1.85
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC	304	1.30
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	169 216	1.30
		1N4007			DIOTEC	55 890	2.65
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	312
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	266 666
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	153 552	1.30
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				2 607	7.04
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	7 584	1.74
		1N4007			HOTTECH	96 063	1.23
		1N4007			KLS	128 000	1.97
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	276 000	1.57
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG	11 142	1.99
		1N4007			KUU	25	1.08  >100 шт.   0.54
		1N4007			CHINA	15 337	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	116 596	2.03
		1N4007			TWGMC	69	2.10
		PIC18F13K50-I/SO			MICRO CHIP
		PIC18F13K50-I/SO					559.20
		PIC18F13K50-I/SO			Microchip Technology
		PIC18F13K50-I/SO			ТАИЛАНД
		PIC18F13K50-I/SO			MICRO CHIP	156
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	MICRO CHIP
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz			855.76
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	Microchip Technology
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А		1 105	21.60
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	КРЕМНИЙ	1 180	16.83
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	БРЯНСК	353	9.00
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	МИНСК
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	RUS
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ИНТЕГРАЛ
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ТРАНЗИСТОР
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ДАЛЕКС	800	23.62
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		8 406	7.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	2 521	15.43
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	9 134	16.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ТРАНЗИСТОР
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	1 716	16.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	91	13.77

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"