IRF7380PBF


Транзистор МОП N-канальный dual 80в 3.6A 2Вт

IRF7380PBF (заказ)
IRF7380PBF

Технические характеристики IRF7380PBF

Power - Max2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Rds On (Max) @ Id, Vgs73 mOhm @ 2.2A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru