Версия для печати
Технические характеристики IRF3710PBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	57A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 28A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3130pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK2610		Транзистор полевой	TOSHIBA
		2SK2610		Транзистор полевой			317.96
		2SK2610		Транзистор полевой	TOS
		2SK2610		Транзистор полевой	TOSHIBA
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INFINEON	216	68.19
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INF (INFINEON)
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	JSMICRO	11 200	74.39
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...		8	74.00
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INFINEON
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	1
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	YOUTAI
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	JSMICRO	1 661	32.26
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	RUS
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	НТЦ СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	КРЕМНИЙ	40	147.42
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		493	12.88
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	537	10.96
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК	5 332	13.02
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"