|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOCHEN
|
1 828
|
18.22
|
|
|
|
3266W-1-223 |
|
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-223 |
|
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-223 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LQH43MN8R2K03L |
|
SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH43MN8R2K03L |
|
SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
|
MUR
|
71
|
91.70
|
|
|
|
LQH43MN8R2K03L |
|
SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN8R2K03L |
|
SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
КСОТ-1-500В-6800 ПФ 2% |
|
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП ТАНТАЛ 10V 10UF 10% A |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЧИП ТАНТАЛ 10V 10UF 10% A |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
|
|
11.08
|
|