Версия для печати
Технические характеристики FOD817ASD

Корпус (размер)	4-SMD
Тип монтажа	Поверхностный
Vce Saturation (Max)	100mV
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Тип входа	DC
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Количество каналов	1
Voltage - Isolation	5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min)	80% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Max)	160% @ 5mA
Напряжение выходное	70V
Тип выхода	Transistor
Output Type	Transistor

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B41851F5228M		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В	EPCOS
		B41851F5228M		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		49 620	1.64  >100 шт.   0.82
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	19 740	2.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	2 551	2.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	35 848	2.74
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	OTHER
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	656
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	29 241	2.52
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KINGTRON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SIEMENS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	51 760	1.96  >100 шт.   0.98
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH	924	1.54
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC	4 720	1.97
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PANJIT	13	1.10
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	150 020	1.31
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE (YJ)
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	0.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	341 326	1.04
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAI/QTC
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	DIODES
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	WTE	8	13.64
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GALAXY
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	DIODES INC.	352
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD	376
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	280
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Diodes Inc
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Vishay/Semiconductors
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	КИТАЙ
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FSC
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ON SEMI/FAIRCH
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONS
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)		195	4.69
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	HOTTECH
		IRF740APBF (MOSFET N-CH 400V 10A AB)			VISHAY	3	150.00
		IRLR2905		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	79.05
		IRLR2905		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...			63.44
		IRLR2905		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	МЕКСИКА
		IRLR2905		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	INFINEON

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"