|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJI ELECTRIC
|
80
|
311.10
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
|
|
131.80
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
INCHANGE
|
128
|
519.40
|
|
|
|
74HC155D |
|
|
|
|
38.40
|
|
|
|
74HC155D |
|
|
|
|
38.40
|
|
|
|
ECAP 680/200V 2245 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 200 В
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 680/200V 2245 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 200 В
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 680/200V 2245 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 200 В
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
84.15
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
|
53.40
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
W78E516B-40PL |
|
|
|
|
524.00
|
|
|
|
W78E516B-40PL |
|
|
WINBOND
|
|
|
|