Версия для печати
Технические характеристики ECAP 680/400V 3545 HP3

Производитель	Hitachi AIC Inc.
Количество в упаковке	200 шт.
Вес	70.000 г
Номинальное напряжение	400 В
Срок службы	6000 Ч
Размер корпуса	ф 35x45
Рабочая температура	-40...85 °C
Код производителя	HP32G681MRAS6
Емкость	680 мкФ
Серия	HP3
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIR
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	MCC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DC COMPONENTS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz		24 804	1.88  >100 шт.   0.94
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP	955
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS	1 153
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DIOTEC	27 260	2.22
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KEC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	LRC	1 600	4.92
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	HOTTECH	40 000	1.40
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KLS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SEMTECH
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	YJ	90 497	1.53
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SUNTAN
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SHIKUES
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	Vishay/General Semiconductor
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	VISHAY
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	Vishay/Siliconix
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	SILICONIX
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFD110PBF		Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	IR/VISHAY
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON SEMICONDUCTOR
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27			34.00
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ONS	26	47.23
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON SEMICONDUCTOR
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON SEMIC
		MUR460RLG		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A		1	72.00
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	69
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"