| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5088G |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088G |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5088G |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
33
|
|
|
|
|
2N5088G |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
2N5088G |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
|
|
46.72
|
|
|
|
|
HEF4013BT |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP -40/+85 C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4013BT |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP -40/+85 C
|
NXP
|
360
|
18.76
|
|
|
|
|
HEF4013BT |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP -40/+85 C
|
|
45
|
37.80
|
|
|
|
|
HEF4013BT |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP -40/+85 C
|
NXP
|
268
|
|
|
|
|
|
HEF4013BT |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP -40/+85 C
|
PHILIPS
|
878
|
|
|
|
|
|
HEF4013BT |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP -40/+85 C
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
HEF4013BT |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
444
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
121
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 207
|
32.22
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
|
|
36.08
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|