BC856BLT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC856BLT1		1.92

Версия для печати

Технические характеристики BC856BLT1

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	225mW

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC856ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC856BLT1, BC856BLT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC856BLT1 datasheet
112.6Kb
8стр.