Версия для печати
Технические характеристики AD73360ARZ

Корпус	28-SOIC W
Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Напряжение - цифровое	3V
Напряжение - аналоговое	3V
Мощность (Ватт)	80mW
Бит	16
Количество каналов	6
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Преобразование данных (DAQ)

 » 

Аналоговые интерфейсы (Analog Front-Ends)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		95 644	1.08
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	6.63
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	40	14.20
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	45 807	2.28
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	218 843	1.67
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	584 934	1.36
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	405	1.99
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.)					279.92
		FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.)					279.92
		INA169NA/250		ИМС датчика тока			321.20
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
		INA169NA/250		ИМС датчика тока			321.20
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMEN
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220		1	386.40
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NSC
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	США
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS INSTRUMENTS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	HGSEMI	712	69.85
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA	1 912	187.68
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220		192	168.00
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MUR
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"