|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
DC COMPONENTS
|
5 284
|
3.70
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
|
11 680
|
2.00
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIRCHILD
|
7
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MOTOROLA
|
1 696
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9 888
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
OTHER
|
88
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
KLS
|
4 000
|
2.02
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
|
3
|
171.60
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
|
|
339.44
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
NCP1200AP-100 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1200AP-100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1200AP-100 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 490
|
48.45
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
|
6
|
57.60
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
26
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
STMICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
1
|
|
|
|