2SB686
|
Версия для печати
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6.00 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 55 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10.0 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | SC65 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SA1102 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 80V, 6A, 60W, 20MHz | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
2SA1102 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 80V, 6A, 60W, 20MHz | SK |
|
|
|
|
|
|
2SA1102 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 80V, 6A, 60W, 20MHz |
|
61.12 | ||
|
|
|
2SA1102 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 80V, 6A, 60W, 20MHz | КИТАЙ |
|
|
|
 |
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz |
|
33.88 | ||
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz | KEC |
|
|
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz | INCHANGE SEMIC |
|
|
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz | ISC | 162 | 178.25 | |
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz | ISCSEMI |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD716 | TOSHIBA | 8 | 107.10 | |||||
| 2SD716 |
|
|
||||||
| 2SD716 |
|
|
||||||
|
|
LGU1E103MELB |
|
Nichicon |
|
|
|||
|
|
LGU1E103MELB |
|
|
|
||||
 |
|
UPW1C222MHD |
|
Nichicon | 168 | 70.67 | ||
|
|
|
UPW1C222MHD |
|
NIO |
|
|
||
|
|
|
UPW1C222MHD |
|
|
|
