| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
BOURNS
|
528
|
113.65
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
|
|
102.24
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MURATA
|
14 400
|
5.17
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MUR
|
15 338
|
5.97
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
|
2 608
|
5.58
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L |
|
Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...
|
MURA
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
|
38 772
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
80
|
5.47
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
EIC
|
275
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
24
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KLS
|
8 000
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
435
|
1.26
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
344
|
|
|
|
|
|
|
CL32B475KBUYNNE |
|
|
SAM
|
|
|
|
|
|
|
CL32B475KBUYNNE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CL32B475KBUYNNE |
|
|
SAMSUNG
|
32 000
|
23.20
|
|
|
|
|
CL32B475KBUYNNE |
|
|
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS
|
|
|
|
|
|
TLE4935L |
|
Биполярный ключ на основе эфф. Холла (выход ОК, Vs=3.824V)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
TLE4935L |
|
Биполярный ключ на основе эфф. Холла (выход ОК, Vs=3.824V)
|
|
|
84.36
|
|
|
|
TLE4935L |
|
Биполярный ключ на основе эфф. Холла (выход ОК, Vs=3.824V)
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
TLE4935L |
|
Биполярный ключ на основе эфф. Холла (выход ОК, Vs=3.824V)
|
АВСТРИЯ
|
|
|
|
|
|
TLE4935L |
|
Биполярный ключ на основе эфф. Холла (выход ОК, Vs=3.824V)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TLE4935L |
|
Биполярный ключ на основе эфф. Холла (выход ОК, Vs=3.824V)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|