Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS	2 132	12.15
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	UTC
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...		1 321	23.03
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	3 941
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	STMicroelectronics
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	180
		LM2587S-ADJ			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2587S-ADJ			NSC
		LM2587S-ADJ			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2587S-ADJ
		LM2587S-ADJ			4-7 НЕДЕЛЬ
		TECAP 4.7/16V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	SAMSUNG
		TECAP 4.7/16V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	VISHAY
		TECAP 4.7/16V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	SAM
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...		5 288	15.07
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ	800	14.05
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ПЛАНЕТА	800	10.15
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	БРЯНСК
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	МИНСК
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ЭЛЕКС
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМН
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ ЭЛ	1	2.90
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	132
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	2150
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	3000
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	765
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	1
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		22 466	44.64
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 360	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"