Версия для печати
Технические характеристики 10BQ100TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	780mV @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	500µA @ 100V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	DO-214AA (SMB)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805 15КОМ 0.1ВТ 5%			TAIWAN
		0805 15КОМ 0.1ВТ 5%
		0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5%			TAIWAN
		0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5%			UNIOHM
		0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5%
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	SEMICRON
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	EIC
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	SMK
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	ST MICROELECTRONICS
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в			52.56
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	DC COMPONENTS
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	Littelfuse Inc
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	STMicroelectronics
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	КИТАЙ
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MIC
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MULTICOMP
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MIG
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	HOTTECH
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	LEIDITEH	4 364	19.35
		2512-62КJ			FAITHFUL LINK
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	3 544	2.00
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	13 867	2.66
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	21 592	2.89
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	414
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	57 679	1.96  >100 шт.   0.98
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		52 846	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.81
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	25 544	1.06
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	6.89
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	296 908	1.32
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	14 400	1.10  >100 шт.   0.55

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"