| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
1
|
457.60
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
32
|
755.70
|
|
|
|
|
SKW25N120 |
|
FastIGBT+D 1200v25A
|
INFINEON
|
16
|
1 618.45
|
|
|
|
|
SKW25N120 |
|
FastIGBT+D 1200v25A
|
|
|
1 120.00
|
|
|
|
|
SKW25N120 |
|
FastIGBT+D 1200v25A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SKW25N120 |
|
FastIGBT+D 1200v25A
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD |
|
SMPS IGBT (Vce=600V, Ic=75A@25C, Ic=45A@100C, Pc=370W@25C,TO-247AC,-55 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD |
|
SMPS IGBT (Vce=600V, Ic=75A@25C, Ic=45A@100C, Pc=370W@25C,TO-247AC,-55 to +150C)
|
|
|
1 380.00
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD |
|
SMPS IGBT (Vce=600V, Ic=75A@25C, Ic=45A@100C, Pc=370W@25C,TO-247AC,-55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
|
1
|
498.00
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
APT40GP90BG |
|
|
APT
|
|
|
|
|
|
|
APT40GP90BG |
|
|
Microsemi Power Products Group
|
|
|
|
|
|
|
APT40GP90BG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
APT45GP120B2DQ2G |
|
|
APT
|
|
|
|
|
|
|
APT45GP120B2DQ2G |
|
|
Microsemi Power Products Group
|
|
|
|
|
|
|
IKW40N120T2 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IKW40N120T2 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
IKW40N120T2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC10U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC10U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
151.92
|
|
|
|
|
IRG4BC20MD-S |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC20MD-S |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC20W |
|
IGBT транз 600В 13А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
209.92
|
|
|
|
|
IRG4BC20W |
|
IGBT транз 600В 13А
|
|
|
614.40
|
|
|
|
|
IRG4BC30F-S |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30F-S |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30FPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30FPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30FPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30K-S |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30K-S |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDPBF |
|
Модули IGBT 600V 28A 100W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDPBF |
|
Модули IGBT 600V 28A 100W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDPBF |
|
Модули IGBT 600V 28A 100W
|
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
1
|
345.60
|
|
|
|
|
IRG4BC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
